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MicroChem光刻膠的主要技術(shù)指標都有哪些?

更新時間:2020-04-19      點擊次數(shù):1810
  MicroChem光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料,是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。
  MicroChem光刻膠應(yīng)用范圍:廣泛應(yīng)用于集成電路,封裝,微機電系統(tǒng),光電子器件光子器件,平板顯示器,太陽能光伏等領(lǐng)域。
  主要技術(shù)參數(shù)
  1.靈敏度
  靈敏度是衡量曝光速度的指標。靈敏度越高,所需的曝光劑量越小。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
  2.分辨率(resolution)
  區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,分辨率越好。
  分辨率是一個綜合指標,影響該指標的因素通常有如下3個方面:
  (1)曝光系統(tǒng)的分辨率。
  (2)對比度、膠厚、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
  (3)前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響分辨率。
  3.對比度
  對比度指從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比。
  4.粘滯性/黏度
  衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。
  5.抗蝕性
  必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
  6.工藝寬容度
  光刻膠的的前后烘溫度、曝光工藝、顯影液濃度、顯影時間等都會對z后的光刻膠圖形產(chǎn)生影響。每一套工藝都有相應(yīng)的工藝條件,當實際工藝條件偏離z佳值時要求光刻膠的性能變化盡量小,即有較大的工藝寬容度。這樣的光刻膠對工藝條件的控制就有一定的寬容性。
  以上便是今天關(guān)于MicroChem光刻膠的主要技術(shù)指標都有哪些的全部分享了,希望對大家今后使用本設(shè)備能有幫助。
  
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