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當(dāng)前位置:首頁(yè)   >  產(chǎn)品中心  >  紫外掩膜曝光系統(tǒng)  >  UV-KUB2  >  UV-KUB2UV-LED紫外掩膜曝光系統(tǒng)

UV-LED紫外掩膜曝光系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:我們?cè)贒ilase 直接激光寫(xiě)入光刻技術(shù)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),因此推出了用于固化紫外光感光材料的 UV-KUB 系統(tǒng)。 UV-KUB 2 是一種基于 UV LED 的曝光和掩膜系統(tǒng),具有 365nm 的可用光源。 這是一款緊湊型的桌面系統(tǒng),能夠曝光最大直徑為 4“ 或 6“ 的晶圓。

  • 產(chǎn)品型號(hào):UV-KUB2
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-05-17
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:2521

詳細(xì)介紹

用于軟光刻工藝,緊湊的桌面系統(tǒng)

365nm +/- 5nm 處*單色曝光

可處理4英寸或6英寸晶圓

提供硬接觸和軟接觸模式 

與所有光刻膠兼容

分辨率:1µm

 

我們?cè)?/span>Dilase 直接激光寫(xiě)入光刻技術(shù)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),因此推出了用于固化紫外光感光材料的 UV-KUB 系統(tǒng)。 UV-KUB 2 是一種基于 UV LED 的曝光和掩系統(tǒng),具有 365nm 的可用光源。 這是一緊湊的桌面系統(tǒng),能夠曝光最大直徑為 4" 6" 的晶圓。 UV-KUB 系統(tǒng)與硬(物理)接觸或軟(接近)接觸工藝兼容,并具有可變掩到基板距離控制的特點(diǎn)。由觸摸屏控制,UV-KUB 2通過(guò)*封閉的曝光保證安全。由于它的密封配置,該設(shè)備不需要安裝在潔凈室中。

 

技術(shù)突破:

1、高質(zhì)量準(zhǔn)直器

· 發(fā)散角小于2°,保證了在厚層上實(shí)現(xiàn)分辨率低至 1µm和邊緣垂直度極 jia的圖案。

· 這種高質(zhì)量的準(zhǔn)直允許在不需要真空接觸模式的情況下達(dá)到微米級(jí)的分辨率。

2、LED技術(shù)

·完 mei的單色曝光光源

·冷紫外線(xiàn)源,防止不良熱效應(yīng)

·可以在連續(xù)或脈沖模式下運(yùn)行

·壽命長(zhǎng):uv-led光源不屬于消耗品

 

特征

整個(gè)工作表面上的完 mei單色曝光光源:更高的固化效率

低溫紫外線(xiàn)照射條件和基板環(huán)境的實(shí)時(shí)原位溫度控制:在整個(gè)表面上提供均勻的照射,從而防止不良的熱效應(yīng)

壽命長(zhǎng)(基于 LED 系統(tǒng)):> 10 000 小時(shí)有效使用

用戶(hù)友好型觸摸屏界面,可設(shè)置曝光循環(huán)編程

提供連續(xù)或循環(huán)曝光模式

無(wú)需預(yù)熱時(shí)間

紫外線(xiàn)源強(qiáng)度調(diào)節(jié)的計(jì)算機(jī)控制,很直觀

紫外線(xiàn)照射室*密封:保證用戶(hù)安全

自動(dòng)晶圓裝卸系統(tǒng)

低消耗

 

應(yīng)用范圍:

UV-KUB 2 系統(tǒng)非常適合實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì)的廣泛應(yīng)用,涉及微流體、光學(xué)、生物技術(shù)、微技術(shù)、需要 1 個(gè)掩層的光刻工藝、晶圓鍵合、簡(jiǎn)單層或粘合劑固化、連接、組裝和生物 或細(xì)胞培養(yǎng)。

 

技術(shù)參數(shù):

分辨率

1µm

發(fā)散角

2°

可編程周期數(shù)

10

曝光周期(連續(xù)/不連續(xù))

1 秒到 1 小時(shí)

接觸模式

硬(物理)接觸或軟(接近)接觸

 

UV-LED光源:

波長(zhǎng)

365nm +/- 5nm

均勻曝光

+/- 5%

LED的壽命

>10000小時(shí)

 

工作處理表面:

處理表面

4英寸或6英寸晶圓

曝光期間的基板預(yù)熱

1

兼容光刻膠

SU8、ShipleyAZ Resist、K-CL 抗蝕劑

 

其他參數(shù):

·尺寸260(L)x 260(W)x 260(H)毫米

·重量8,2千克/18

·彩色觸摸屏:5,7英寸

·功率密度:35 mW/cm2+/-10%

·電源:100 v/240 V-50 Hz/60 Hz

·功率/消耗量180 W

·膜版與晶之間的距離控制:10 µm

·全版曝光:6mm

·基片厚度+層數(shù):最大2mm


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