美國RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%，處理的大尺寸可以達到200mm，溫度可以達到1200攝氏度，處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行，做多可支持4~6路進氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

- 處理時間：0.1秒至無*；

- 燈管數(shù)量及功率：13支，

- 腔體冷卻：風冷方式；

- 襯底冷卻：氮氣吹掃；

- 工藝氣路：MFC控制，多6路 (氮氣、氬氣、氧氣、氫氮混合氣等)；

應(yīng)用領(lǐng)域：

快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);

快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

硅化 (Silicidation);

擴散 (Diffusion);

化合物半導體退火 (Compound Semiconductor Annealing);

離子注入后退火 (Implant Annealing);

電極合金化 (Contact Alloying);

晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);