當(dāng)氣體暴露在電子區(qū)域時(shí)可以形成等離子體。如果該區(qū)域氣流足夠強(qiáng)，高比例的氣體原子將服從電子或兩個(gè)成為已電離的。由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放的高能電子組成的氣體等離子或離子。已電離的氣體原子的動(dòng)能相對(duì)較小，除非他們通過(guò)電場(chǎng)加速。加速時(shí)，他們會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。等離子體效應(yīng)的過(guò)程轉(zhuǎn)換成材料的蝕刻工藝。活性氣體在分子級(jí)上的使用也產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。

氣體等離子體類(lèi)型：各向異性等離子體是有方向性的，由電氣控制一些具體的高能離子，或某個(gè)范圍的能量（見(jiàn)美國(guó)鋁框系統(tǒng)）。

各向同性等離子體是多方位和包含整個(gè)的3 – D等離子的設(shè)備（見(jiàn)美國(guó)石英筒備系統(tǒng)）。

氣體等離子體處理了超過(guò)濕化學(xué)處理幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。液體的表面張力的現(xiàn)象消除，正如泡沫的形成，這可能會(huì)導(dǎo)致不*濕化。等離子蝕刻可以迅速結(jié)束，終止進(jìn)程，而液體蝕刻工藝很難準(zhǔn)確的結(jié)束。

“綠色”的優(yōu)勢(shì)：無(wú)氟氯化碳和污水，操作和環(huán)境安全。排除有毒和腐蝕性的液體。等離子處理的主要缺點(diǎn)是較低的吞吐量。

我們致力于氣體等離子處理，即讓氣體在常溫下，無(wú)熱相變下改變。這些氣體可以是惰性的，也可以是起反應(yīng)的。在反應(yīng)性氣體的情況下，利用動(dòng)量轉(zhuǎn)移處理以及氣體反應(yīng)的化學(xué)性質(zhì)改變材料的特性。

鋁質(zhì)腔體等離子系統(tǒng)Aluminum Chamber Plasma Systems

SCE 14鋁質(zhì)腔體等離子系統(tǒng)

長(zhǎng)寬高356毫米的立方體腔體

外形尺寸559毫米 x 686毫米 x 915毫米 (w,d,h)

SCE 18鋁質(zhì)腔體等離子系統(tǒng)

長(zhǎng)寬高457毫米的立方體腔體

外形尺寸 711毫米x 711毫米x 1651毫米(w,d,h)

SCE 24鋁質(zhì)腔體等離子系統(tǒng)

長(zhǎng)寬高610毫米的立方體腔體

外形尺寸 864毫米 x 813毫米 x 1829毫米 (w,d,h) 

SCE30鋁質(zhì)腔體等離子系統(tǒng)

長(zhǎng)寬高762毫米的立方體腔體

外形尺寸915毫米x 915毫米x 1829毫米(w,d,h)

石英滾筒等離子系統(tǒng)Quartz Barrel Plasma Systems

4" diameter x 8" long  

102毫米直徑 x 203毫米長(zhǎng)腔體

外形尺寸26" H x 23" W x 30" D  660毫米 H x 584毫米 W x 762毫米 D

SCE 106石英滾筒等離子處理系統(tǒng)

6" diameter x 8"long

 152毫米直徑x 203毫米長(zhǎng)腔體

外形尺寸 26" H x 23" W x 30" D  660毫米 H x 584毫米 W x 762毫米 D

SCE108石英滾筒等離子處理系統(tǒng)

8" diameter x 8"long 腔體

203毫米直徑x203毫米長(zhǎng)

外形尺寸  26"H x 23"W x 30"D  660毫米 H x 584毫米 W x 762毫米 D

SCE110石英滾筒等離子處理系統(tǒng)

10" dia x 18" L long 

254毫米直徑x 457毫米長(zhǎng)腔體

外形尺寸36"H x 21"W x 30"D  914毫米Hx533毫米W x 762毫米 D

SCE 115石英滾筒等離子處理系統(tǒng)

10" dia x 18" L long 

254毫米直徑x 457毫米長(zhǎng)腔體  

外形尺寸22" W x 36" H x 27" D   559毫米x914毫米H x 686毫米 D

SCE150石英滾筒等離子處理系統(tǒng)

10" dia x 18"L  2 4毫米直徑x 457毫米長(zhǎng)腔體

SCE 604石英滾筒等離子處理系統(tǒng)

Four (4) chambers 4" x 8" diameter Quartz  

4個(gè)腔體102毫米x203毫米直徑石英腔體

玻璃等離子系統(tǒng)Tumbler Plasma Systems

SCE 10等離子處理系統(tǒng)

SCE 18等離子處理系統(tǒng)

Aluminum Basket (457毫米 x 1016毫米)

控制系統(tǒng)Control System

•     PLC - "Touch-Panel" operation

PLC  觸摸面板操作

•     Digital count down timer (hrs, min, sec)

數(shù)字倒計(jì)時(shí)定時(shí)器（小時(shí)，分，秒）

•     Digital On-Screen vacuum display

數(shù)碼屏幕真空顯示器

•     Gas flow with needle valve control

氣體流量針形閥控制

•     Manual tuning standard

手動(dòng)校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)

•     Optional: Automatic RF tuning for load match

•     可選的：自動(dòng)射頻調(diào)整與負(fù)載匹配

反應(yīng)腔體Reactor Chamber

•     4" diameter x 8" long quartz chamber

•     4英寸直徑x8英寸長(zhǎng)的石英艙體

•     RF shielded

•     射頻屏蔽

•     Front load

•     前負(fù)荷

尺寸：Dimensions

•     26" H x 23" W x 30" D

•     26英寸（H）x23英寸（W）x30英寸（D）

•     275 lbs Crated weight

•     275磅包裝重量。

射頻功率源RF Power Source

•     0-150 Watt RF 13.56 MHz supply

•     0-150 W射頻13.56兆赫茲供應(yīng)

•     Forward and reflected power readings

•     正向和反射功率讀數(shù)

•     Low frequency optional

•     低頻選項(xiàng)