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原子層沉積系統(tǒng)

簡要描述:原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。

  • 產(chǎn)品型號:AT-610
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2025-03-11
  • 訪  問  量:5178

詳細(xì)介紹

一、原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):

1.腔體材質(zhì):全鋁鋁質(zhì)腔體;

2.樣品臺尺寸:處理最大直徑6英寸樣品;

3.基片加熱溫度:室溫~315℃±1℃;

4.液體源:一路高蒸氣壓液體氧化劑(H2O或H2O2),3路固體或液體金屬源;

5.可變過程壓力控制0.1至1.5Torr;

6.ALD閥:Swagelok快速高溫ALD專用閥;

7.載氣系統(tǒng):N2,壓力30Psi;

8.生長模式:連續(xù)和停留沉積模式任意選擇;

9.控制系統(tǒng):16位7英寸彩色觸摸屏PLC操作控制;

10.4個(gè)世偉洛克熱敏ALD閥門;

11.5個(gè)高溫劑量容積填充閥;

12.帶輔助彎頭加熱器的保形加熱套,操作溫度室溫至150℃;

13.帶閥門的50ccSS前體瓶,波紋管密封高溫兼容閥;

14.Fujikin金屬密封,200sccmMFC流量質(zhì)量控制器,用于N2或Ar吹掃流量控制;

15.基于雙溫探頭的腔室加熱器控制系統(tǒng)和探頭故障保險(xiǎn);

16.OEM 2級旋轉(zhuǎn)葉片泵,抽速18 cfm,極限真空3mtorr,包括Flomblin用于PFPE油;

 

二、原子層沉積系統(tǒng)特點(diǎn)

精準(zhǔn)控制:薄膜厚度可精確至亞納米級(0.1 ?/cycle),重復(fù)性誤差<1%。

高均勻性:在復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)(如納米線、多孔材料)表面實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋。

低溫工藝:部分機(jī)型支持室溫至300℃以上,范圍沉積,兼容熱敏感基材(如聚合物、生物材料)。

前驅(qū)體兼容性:支持金屬有機(jī)化合物、鹵化物、等離子體增強(qiáng)(PEALD)等多種反應(yīng)模式。

原位監(jiān)測:集成石英晶體微天平(QCM)、橢偏儀或光學(xué)反射儀,實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜生長。

 

三、原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造:高介電材料(HfO?、Al?O?)、晶體管柵極、DRAM電容薄膜。

新能源:鋰離子電池電極包覆層、燃料電池催化劑涂層。

光電子器件:OLED封裝層、光伏器件鈍化層。

納米技術(shù):量子點(diǎn)涂層、MEMS器件防水/防腐蝕膜。

生物醫(yī)療:生物傳感器表面功能化、植入器械抗菌涂層。

 

四、目前可以沉積的材料包括:

1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN

3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2

4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni

5)碳化物: TiC, NbC, TaC  

6)復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx

7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS


五、提供售后服務(wù)安裝調(diào)試培訓(xùn);

原子層沉積(ALD)系統(tǒng)的售后服務(wù)致力于為客戶提供全面支持,包括設(shè)備安裝調(diào)試、操作培訓(xùn)、技術(shù)咨詢及定期維護(hù)。我們的專業(yè)團(tuán)隊(duì)確保設(shè)備高效運(yùn)行,快速響應(yīng)故障排查與維修需求,并提供備件更換和軟件升級服務(wù),以延長設(shè)備壽命并保障生產(chǎn)效率。客戶可通過熱線或在線平臺隨時(shí)聯(lián)系我們,享受定制化的解決方案。

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