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MC方案|鈣鈦礦太陽能電池制備指南

更新時(shí)間:2020-09-16      點(diǎn)擊次數(shù):2810

本篇介紹了使用 I101 鈣鈦礦前體油墨的鈣鈦礦太陽能電池制備過程, 該油墨用于底部ITO / PEDOT:PSS陽極和頂部PC 70 BM / Ca / Al陰極。

ITO / PEDOT:PSS / CH 3 NH 3 PbI 3-x Cl x / PC 70 BM / Ca / Al

 

 

詳細(xì)步驟如下:

1.基板清潔:清潔預(yù)圖案化的ITO基板。將基板在1%的高溫(70°C)中超聲處理5分鐘  。在沸騰的去離子(DI)水中漂洗底物兩次(轉(zhuǎn)儲(chǔ)沖洗),然后在IPA中進(jìn)一步超聲處理5分鐘,后在沸騰的DI水中漂洗兩次。使用壓縮氮?dú)飧稍锘摹?/span>

 

 

2. PEDOT:PSS陽極制備:PEDOT:PSS的所有制備和旋涂應(yīng)在空氣中層流罩中進(jìn)行。首先,使用0.45μmPES 過濾器過濾AI 4083 PEDOT:PSS。然后使用移液器將35μl過濾后的PEDOT:PSS溶液分配到ITO基板上(動(dòng)態(tài)分配),以6000 rpm旋轉(zhuǎn),總旋轉(zhuǎn)時(shí)間設(shè)置為40s。再將基材放在120°C的加熱板上。此過程將創(chuàng)建厚度在40~50 nm之間的PEDOT:PSS膜。涂完所有ITO基材后,必須將加熱板溫度降至90°C,并將基材保持在該溫度下,直到用鈣鈦礦前體涂布。注意,在此階段不擦拭陰極帶,以使鈣鈦礦在下面的步驟3中*,平滑地覆蓋基材。

 

 

3.鈣鈦礦的沉積:  開始此步驟之前,濕度必須不高于約40%。I101鈣鈦礦前體油墨MAI:PbCl 2  (3:1)在使用前應(yīng)先在70°C加熱30至60分鐘,然后在整個(gè)沉積過程中保持在該溫度下。要涂覆鈣鈦礦前體,將ITO / PEDOT:PSS基材從熱板上快速轉(zhuǎn)移到勻膠旋涂?jī)x上(再次在空氣中),然后以3000 rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。現(xiàn)在,立即將30μlI101油墨分配到熱的基底上,該基底應(yīng)旋轉(zhuǎn)30秒鐘。這將產(chǎn)生亮黃色的薄膜。將此基板放回90°C的熱板上(空氣中)。

 

 

在所有基材上都涂覆鈣鈦礦前體(薄膜仍應(yīng)呈現(xiàn)亮黃色)后,請(qǐng)使用干燥的超精密無塵棉簽擦拭陰極條。從表面去除鈣鈦礦前體。現(xiàn)在,將基板放回?zé)岚迳希偻嘶?0分鐘,將鈣鈦礦前體*轉(zhuǎn)化為CH 3 NH 3 PbI 3-x Cl x  鈣鈦礦。處理后,所有薄膜都應(yīng)該從黃色變成灰棕色。在顯微鏡下,薄膜應(yīng)顯示為致密的多晶層。

 

 

4. PC 70 BM的沉積:  首先,準(zhǔn)備50 mg / ml 的PC 70 BM在氯苯中的溶液  。應(yīng)將其置于充氮手套箱內(nèi)70°C的加熱板上,并在使用前攪拌3至5個(gè)小時(shí)。為了縮短加熱時(shí)間,建議使用0.45 µm PTFE(疏水性)過濾器過濾溶液。準(zhǔn)備好后,將鈣鈦礦涂層基材轉(zhuǎn)移到手套箱中。在勻膠旋涂?jī)x上以1000 rpm旋轉(zhuǎn)的同時(shí),使用移液器將20μlPC 70 BM溶液分配到薄膜表面上。總共旋涂30秒,以形成厚度為120 nm 的PC 70 BM膜。

 

WS-650-23B勻膠旋涂?jī)x

 

5.陰極沉積:  現(xiàn)在可以通過陰極沉積完成器件。在<10 -6  mbar 的基本壓力下,通過像素化陰極掩模將鈣/鋁陰極復(fù)合材料(分別為5和100 nm)熱蒸發(fā)到膜表面上,以定義器件的有效區(qū)域。后,使用玻璃蓋玻片和環(huán)氧樹脂封裝您的器件,然后將其暴露在紫外線(350 nm)中30分鐘以固化環(huán)氧樹脂?,F(xiàn)在,您可以使用IV曲線測(cè)量系統(tǒng)和測(cè)量孔徑掩模對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試和評(píng)估了 。

 

 

器件性能

以下圖1中顯示了工藝配方制備的超好像素的器件特性。此處,在反向偏置掃描之后,在標(biāo)準(zhǔn)AM1.5太陽模擬器下對(duì)設(shè)備進(jìn)行了測(cè)試。此處,性能超好的器件具有11.7%的轉(zhuǎn)換效率(PCE),Voc(0.96 V),F(xiàn)F(73.19%)和Jsc(-16.71 mA / cm 2)。

 

圖1:基于I101鈣鈦礦油墨的PV光伏器件在AM1.5太陽模擬器照射下的曲線。在反向掃描中記錄器件特性。

 

 

圖2:典型過程運(yùn)行中記錄的器件效率分布。數(shù)據(jù)取自5個(gè)包含30個(gè)像素的基板。從該分析中去除了由于它們靠近器件襯底的邊緣而導(dǎo)致的具有低操作效率的10個(gè)像素。

 

References

[1] Efficient planar heterojunction mixed-halide perovskite solar cells deposited via spray-deposition. A. T. Barrows et al., Energy Environ. Sci., 7, 2944-2950 (2014)

[2] Additive Enhanced Crystallization of Solution-Processed Perovskite for Highly Efficient Planar-Heterojunction Solar Cells. P.-W. Liang et al., Adv. Mater., 26, 3748-3754 (2014)

[3] The Roles of Alkyl Halide Additives in Enhancing Perovskite Solar Cell Performance. Chu-Chen Chueh, et al., J. Mater. Chem. A, (2014) DOI: 10.1039/C4TA05012F

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