亚洲一区二区三区欧美精品-日韩欧美精品在线中文字幕-成人精品亚洲一区二区三区-国产大片中文字幕资源

太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法（一）太陽(yáng)光模擬器用于測(cè)量太陽(yáng)能電池的效率。為了表征太陽(yáng)能電池在現(xiàn)實(shí)世界中的表現(xiàn)，使用有效模擬太陽(yáng)光譜的太陽(yáng)光源至關(guān)重要。當(dāng)然，你可以使用真正的陽(yáng)光，但是這會(huì)引入一些不可控的變量。為了可靠地測(cè)試太陽(yáng)能電池，你需要在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)保持受控的條件。此外，許多太陽(yáng)能電池的材料在早期的開(kāi)發(fā)階段不能經(jīng)受氣候影響。由于這些原因，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中測(cè)試太陽(yáng)能電池時(shí)，你應(yīng)該使用太陽(yáng)光模擬器來(lái)重現(xiàn)太陽(yáng)的輻照度。為了表征太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)光模擬器需要滿(mǎn)足關(guān)于時(shí)間穩(wěn)定性、光...

如何選擇紫外臭氧清洗機(jī)？今天的主角是我們的一款簡(jiǎn)易的紫外臭氧清洗機(jī)。來(lái)自其他制造商的紫外臭氧清潔機(jī)可以提供一系列附加功能。更多的功能常常會(huì)被誤認(rèn)為是更有效的性能。但是，在您的實(shí)驗(yàn)設(shè)置中評(píng)估附加功能的必要性和適用性總是很重要的。我們這款紫外臭氧清潔機(jī)本著簡(jiǎn)單高效的理念構(gòu)建，提供了一個(gè)有效工作的模型，沒(méi)有不必要的、復(fù)雜的或令人困惑的特性。1.加熱功能超過(guò)150°C，材料的溫度越高，紫外臭氧清洗的反應(yīng)速度越快。因此，提高襯底的溫度可以促進(jìn)更快的清洗速率。為此，一些系統(tǒng)將可加熱的樣品...

氮化硼封裝對(duì)2D半導(dǎo)體層等離子體處理的影響（下）結(jié)果和討論在樣品制備、器件制造和后處理過(guò)程中，2D材料或異質(zhì)結(jié)構(gòu)可能會(huì)遇到幾種形式的高能輻射源。使用的輻射源包括電子、離子(氬、氦和氙)和光子(激光、紫外線(xiàn))通量。然而，離子束和紫外光分別是蝕刻和光刻工藝中最CY的。在這里，我們研究了h-BN，MoS2及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)在A(yíng)r+離子等離子體下曝光。氬離子等離子體是最CY的，因?yàn)闅逵捎谄涔逃械亩栊圆粫?huì)與樣品形成化學(xué)鍵。氬也是一種足夠重的離子，可以提供足夠的動(dòng)能以在合理的加速電壓下蝕刻樣品...

二維(2D)過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMDCs)在光學(xué)、電子學(xué)、催化和能量存儲(chǔ)方面的應(yīng)用是研究的熱點(diǎn)。當(dāng)封裝在沒(méi)有電荷無(wú)序的環(huán)境中時(shí)，它們的光學(xué)和電子性質(zhì)可以顯著增強(qiáng)。因?yàn)榱降?h-BN)是原子級(jí)薄的、高度結(jié)晶的并且是強(qiáng)絕緣體，所以它是封裝和鈍化TMDCs常用的2D材料之一。在這份報(bào)告中，我們研究了超薄氮化硼如何屏蔽底層金屬氧化物半導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件制造和后處理過(guò)程中通常使用的高能氬等離子體的TMDCs層。像差校正的掃描透射電子顯微鏡用于分析h-BN和MoS2中的缺陷形成這...

石墨烯通常通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）在生長(zhǎng)基底上沉積，然后轉(zhuǎn)移到適合其特定應(yīng)用的目標(biāo)基底上。等離子體處理可用于支持和促進(jìn)各種石墨烯轉(zhuǎn)移方法。介紹石墨烯是一種具有六方晶體結(jié)構(gòu)的單原子碳層，由于其許多DT的材料特性，在過(guò)去幾十年中受到了廣泛的研究。憑借其高導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性、近乎光學(xué)的透明度和高機(jī)械強(qiáng)度，石墨烯被認(rèn)為是一種非常通用的二維材料，可用于廣泛的應(yīng)用，包括能源儲(chǔ)存、光學(xué)顯示和傳感器[1-3]。生產(chǎn)石墨烯的常見(jiàn)方法是CVD，使用碳?xì)浠衔餁怏w或含碳前體與催化襯底（如銅銅箔）結(jié)合...

氧化鋅（ZnO）是一種令人興奮的可替代寬帶隙半導(dǎo)體，在傳感器和柔性電子器件中具有廣闊的應(yīng)用前景。等離子體處理可用于為氧化鋅沉積準(zhǔn)備表面，通過(guò)去除有機(jī)雜質(zhì)和表面改性改善電性能，并促進(jìn)氧化鋅器件的制造。介紹氧化鋅是一種寬帶隙半導(dǎo)體，具有與氮化鎵（GaNIII-V）半導(dǎo)體相似的電氣和物理特性。由于鋅含量相對(duì)豐富且能夠在低溫下沉積氧化鋅，因此氧化鋅作為氮化鎵的低成本替代品更具有吸引力，可用于發(fā)光二極管(LED)、光電子學(xué)和柔性電子學(xué)。此外，氧化鋅在可見(jiàn)光譜中是光學(xué)透明的，通過(guò)適當(dāng)?shù)膿?..